| Устройства питания и преобразователи Источники опорного напряжения (ИОН) для АЦП и ЦАП » Подробнее о принципах работы ИОН В случае необходимости прецизионной установки режима работы каких-либо частей или схемы в целом, контроля выхода рабочих параметров за допустимые границы и осуществления аналого-цифровых или цифро-аналоговых преобразований разработчикам электронной аппаратуры требуются высокоточные и высокостабильные источники опорных напряжений (ИОН) и токов.
Исходя из необходимости получения высоких характеристик (точность, временная и температурная стабильность, ослабление пульсаций) опорные источники строятся только на базе дискретных компонентов или линейных стабилизаторов.
Надо отметить, что ИОН неявно присутствуют в схеме любого линейного стабилизатора напряжения или тока, таким образом, их отличие – только в нагрузочной способности (максимальный выходной ток ИОН, как правило – 5..25 мА). Тип
прибора | Схема работы | Максимальная
точность, % | Типы
корпусов | Выход | Поиск
по складу | Оригинальная
документация | | LM285/385 | Последовательная | 1.0 | TO-92,
SOT23,
SOIC8 | 1,235 В
2,5 В | | 
размер 265 Kb | | xx431 | Параллельная | 0.4 | TO-92,
DIP8,
SOT-89,
SOIC8 | Регулироемое напряжение от 2.5 В | |
размер 389 Kb | | xxV431 | Параллельная | 0.4 | TO-92,
DIP8,
SOT-89,
SOIC8 | Регулироемое напряжение от 1.235 В | |
размер 415 Kb | | FOD2xxx | Параллельная | 1.0 | DIP8,
SOIC8 | xx431 + оптрон (для изолированных импульсных преобразователей) | |
размер 567 Kb | | REF200 | Последовательная | 0.5 | SOIC8 | 2*100 мкА | |
размер 169 Kb | | LM4040 | Параллельная | 0.1 | SC70,
SOT23,
TO-92 | 2.5 - 10 В | |
размер 294 Kb | LM4120-xx,
REF30xx | Последовательная | 0.2 | SOT23 | 1.2 - 5 В | |
размер 289 Kb | | LM4130-xx | Последовательная | 0.05 | SOT23 | 2.0 - 4.096 В, цифровая компенсация | |
размер 264 Kb | |
Прогресс в этой области, судя по всему, направлен на дальнейшее улучшение точностных показателей имеющихся схем.
Также представляется перспективным понижение генерируемых напряжений.
Один из путей – замена биполярных транзисторов в «band-gap reference» на полевые. |
