| Микросхемы памяти: статические асинхронные ОЗУ (asynchronous SRAM) Звонок в фирму по продаже электронных компонентов:
— Девушка, у вас память есть?
— Конечно! (кокетливо) Девичья... |  | ИМС данного типа характеризуются асинхронным параллельным интерфейсом с раздельными шинами адреса и данных, средним быстродействием (45 нС и выше) и низким энергопотреблением в режиме ожидания (10 мкА и менее). Данные ИМС применяются в случаях, когда не требуется высокая пропускная способность, нежелательны дополнительные издержки на уровне ПО (регенерация данных и т. п.) и требуется минимальное энергопотребление системы в состоянии ожидания. Например, как составная часть гибридных ИМС – энергонезависимых ОЗУ. ПРИМЕЧАНИЕ:
Указанная в документации на ИМС подобного типа логическая нумерация выводов адреса и данных является полностью абстрактной и может быть изменена произвольным образом. Например, для упрощения трассировки печатной платы.
«Ссылки для тех, кто и так все знает»: | В последнее время выпуск ИМС данного типа прекратили несколько крупных производителей (Samsung, ST micro., Mosel-Vitelic, ZMD, Elite MT). Корпорация «Точка Опоры» предлагает полные аналоги производства фирм Cypress, ISSI, Brilliance, ON semiconductor, Alliance, Lyontek и др. Память большого объема (1 МБит и более) все реже выпускается с напряжением питания 5 В или в корпусах DIP. Фирмы Cypress и ISSI предлагают версии ИМС с расширенным (от -40°С до +125°С) диапазоном рабочих температур. В системе обозначений фирмы ISSI используются индексы «64» и «65» вместо «62» и «63». На нашем складе всегда есть в наличии память с объемом 256 кБит, 1 и 4 Мбит, с 8-битной шиной данных, напряжением питания 3.3 и 5 В, в SOIC-корпусах. Со склада и под заказ предлагается память объемом 8 и 16 МБит с 16-битной шиной, напряжением питания 3.3 В, в TSOP-корпусах. Недавно появились ИМС с последовательным интерфейсом SPI (производства ON semiconductor, Microchip), которые могут быть использованы в случаях, когда уменьшение размеров печатной платы (за счет компактного корпуса с 8-ю выводами и резкого уменьшения числа соединений) является более приоритетным, чем пропускная способность. Они имеют набор команд управления чтением и записью, идентичный 25-й серии ПЗУ. Некоторыми фирмами (ISSI, Micron и др.) начат выпуск ИМС типа «pseudo SRAM», представляющих собой массив ДОЗУ большой емкости (от 8 Мбит) со схемами управления и регенерации и внешний интерфейс, аналогичный обычным ИМС статических ОЗУ. Преимуществом является невысокая цена, недостатком – повышенное энергопотребление в режиме ожидания из-за необходимости регенерации. В системе обозначений фирмы ISSI используется индекс «66» вместо «62» и «63».
Подбор ИМС по основным характеристикам, проверка наличия на складе и документация  | Кликнув мышкой по такой пиктограмме в таблице, вы сможете получить выборку по складу в Москве для микросхем с соответствующими характеристиками, включая все аналоги. | ИМС ОЗУ с параллельным интерфейсом ИМС ОЗУ с последовательным интерфейсом В данном разделе пока представлены только ИМС производства фирм ON semiconductor (ранее – AMI semiconductor) и Microchip с интерфейсом SPI и напряжением питания 3.0 - 3.6 В. | Организация | Наименование | Тип корпуса | Поиск по складу | Оригинальная документация | | 8k x 8 | N64S830, 23K640 | SOIC8 (150 mil) | | N64S830.PDF (размер 202 Kb) | | TSSOP8 | | | 32k x 8 | N25S830 (N256S08), 23K256 | SOIC8 (150 mil) | | N25S830.pdf (размер 230 Kb) | | TSSOP8 | | Полезная информация:
руководства по выбору ИМС ОЗУ от фирм-производителей: |
