| |  | | |  |  | МОСКВА,
Большая Почтовая ул., 34, стр. 8, офис 101
(495) 956 3942 (495) 956 3943 (факс)
(800) 200 3942 (бесплатные звонки) | | | | | | филиалы: • • • | | | | | | | | | | | | Программа поставок | | Микросхемы постоянных запоминающих устройств (ПЗУ) Считается, что устройство, известное нам как электрический
конденсатор, впервые появилось в городе Лейден в 1745 году
и было названо «Лейденская банка» (Leyden jar).
Наверное, нам всем следует хотя бы направить в адрес
муниципалитета города благодарственное письмо. | Как следует из названия – информация в этих ИМС сохраняется постоянно, независимо (или – практически независимо) от внешних условий, прежде всего – от наличия питания. Далее мы подробно рассмотрим их группы по типам интерфейса, а сейчас кратко остановимся на технологических и схемотехнических особенностях. В производстве ИМС данной группы используются технологии, основанные на создании неоднородной по толщине подзатворной изоляции МОП транзисторов (как правило, слои SiO2 и Si3N4). Создание таких слоев позволяет производить, при определенных условиях, инжекцию электронов из канала транзистора на границу раздела диэлектрических слоев за счет туннельного эффекта и долговременное их сохранение там. Наличие или отсутствие заряда в ячейке памяти интерпретируется как 1 или более бит информации. Наиболее старая из подобных технологий – EPROM. Для создания неоднородности используется дополнительный «плавающий» затвор, полностью изолированный толщей SiO2. Для записи информации заряд вносится на «плавающий» затвор подачей повышенного напряжения (относительно напряжения питания), а для стирания используется облучение кристалла УФ излучением (благодаря ионизации в слоях подзатворного диэлектрика, накопленный при записи заряд стекает в канал). Дальнейшее ее развитие – технология EEPROM с диэлектриком SiO2 и Si3N4. Она обеспечивает как запись, так и стирание информации электрическим путем, при этом генератор повышенного напряжения встроен в ИМС. Это позволило увеличить гибкость устройств, уменьшить их габариты и несколько снизить стоимость (за счет отказа от сложных в производстве керамических корпусов с кварцевым окном). Современная вершина технологий производства ПЗУ – технология Flash, разработанная на базе EEPROM. Первоначальным стимулом была потребность уменьшить время записи (получилось – в 5 - 10 раз) за счет модификации технологии и использования внешнего источника программирующего напряжения. В дальнейшем, при сохранении высокой скорости записи, генератор напряжения был снова помещен на кристалл ИМС (в некоторых современных ИМС есть дополнительный вход высокого напряжения для ускоренного программирования). На этой группе ИМС сосредоточены основные усилия проектировщиков ИМС: - Введение достаточно унифицированных алгоритмов записи и идентификационных данных для упрощения производства готовых изделий.
- Введение синхронного режима работы с пакетной передачей данных
(передача первого байта/слова – около 80...100 нС, последующих – 30 нС и менее с использованием встроенного в ИМС памяти генератора адресных сигналов) или страничного доступа (использование внутреннего буфера при считывании данных из массива запоминающих ячеек дает увеличение быстродействия, сравнимое с предыдущим вариантом).
Эти методы особенно эффективны при наличии кэш-памяти.
- Разделение массива памяти на 2 и более независимых области для обеспечения возможности распараллеливания работы (одновременное чтение и запись данных в разных областях).
и технологов: - Уменьшение проектных норм при производстве ИМС
(типовой современный техпроцесс для таких ИМС имеет нормы менее 0.18 мкМ).
- Уменьшение потребляемой мощности в рабочем режиме (снижением напряжения питания и уменьшением паразитных емкостей за счет меньших проектных норм) и режиме ожидания (снижением утечек).
- Повышение ресурса ячеек памяти по циклам перезаписи.
- Увеличение информационной емкости элементарной ячейки памяти (технологии на стыке цифровой и аналоговой микроэлектроники – «Mirror bit», «Multi Level Cell» и др.)
- Освоение перспективных технологий корпусирования
(flip chip, multi chip module, BGA).
Схемотехнически элементарные ячейки Flash-памяти могут подсоединяться к выходной шине массива параллельно или последовательно. У каждого решения есть свои преимущества и недостатки. В первом случае (NOR) достоинства таковы: - более высокая скорость считывания информации;
- произвольная выборка данных;
- относительно большой размер страниц (секторов) памяти;
- гарантированная годность ячеек памяти при производстве.
Преимущества второго (NAND) таковы: - существенно более высокая скорость записи и стирания;
- больший ресурс по циклам перезаписи;
- страницы памяти меньшего размера, сгруппированные в блоки;
- последовательная выборка данных;
- высокая технологичность
(меньшее количество операций в процессе производства и в 3 - 5 раз меньшая площадь элементарной ячейки). В соответствии с указанными преимуществами память типа NOR, как правило, имеет раздельные шины адреса и данных и используются для хранения программных кодов, исполняемых непосредственно из ПЗУ, и редко обновляемых данных относительно небольшого объема, а память типа NAND имеет мультплексированные шины адреса и данных, дополнительные ячейки памяти в каждой странице памяти (для реализации таблиц размещения файлов и/или корректирующих кодов) и используются для хранения больших объемов часто изменяемых данных или сжатых программных кодов. Для полноты картины следует упомянуть также технологии на базе магниторезистивного эффекта (несмотря на большой интерес фирм-производителей ИМС, в массовом производстве пока освоена только фирмами Ramtron и Freescale, см. раздел «Энергонезависимые ОЗУ») и пережигаемых перемычек (однократно программируемые ПЗУ, преимущественно – для применения в условиях воздействия проникающих излучений).
ИМС памяти с доступом через последовательный интерфейс ИМС с интерфейсом I2C. ИМС данной группы характеризуются информационной емкостью от 1 кБ до 1 МБ, относительно невысокой скоростью обмена данными (частота синхронизации – 0.1 - 1 МГц, в зависимости от напряжения питания и емкостной нагрузки на шину) и возможностью каскадирования до 8 ИМС с использованием внешних входов задания адреса и программной адресации. При производстве используется технология EEPROM, реже – Flash. Наиболее широко они применяются для хранения конфигурационных данных (например – в телевизорах, модулях памяти для ПК и разнообразных промышленных приборах), архивов данных (в промышленных приборах) и программных кодов (некоторые микроконтроллеры фирмы Cypress). | Производитель | Тип
(xxx - емкость) | Емкость,
МБит | Напряжение
питания, В | Типы корпусов | | Atmel | AT24Cxxx,
AT24Fxxx (Flash) | 1 - 1M | 1.8 - 5.5 | DIP, SOIC, TSSOP, SOT, leadless* | | ISSI | IS24Cxxx | 1 - 256 | DIP, SOIC, TSSOP, leadless | | ST microelectronics | M24Cxxx | 1 - 1M | DIP, SOIC, TSSOP, MSOP, leadless | | Catalyst | CAT24Cxxx | 1 - 256 | DIP, SOIC, TSSOP, SOT, leadless | |
| * | здесь и далее – различные варианты безвыводных корпусов
(с контактными площадками по периметру или двум сторонам) небольшого размера.
Например: CASON и MLF (Atmel), SON (Spansion), MLP (ST microelectronics) и др. |
ИМС с интерфейсом MICROWIRE. ИМС данной группы характеризуются информационной емкостью от 1 до 16 кБ и 16-разрядной организацией (или аппаратным переключением разрядности). При производстве используется технология EEPROM. Практически единственная область их применения – хранение конфигурационных данных (например, для контроллеров доступа к сети Ethernet). | Производитель | Тип
(xxx - емкость) | Емкость,
МБит | Напряжение
питания, В | Типы корпусов | | Atmel | AT93Cxxx | 1 - 16 | 1.8 - 5.5 | DIP, SOIC, TSSOP, leadless | | Catalyst | CAT93Cxxx | DIP, SOIC, TSSOP, leadless | | ISSI | IS93Cxxx | DIP, SOIC, TSSOP, leadless | | ST microelectronics | M93Cxxx,
M93Sxxx,
M93CSxxx | DIP, SOIC, TSSOP, MSOP | |
ИМС с интерфейсом SPI. ИМС данной группы характеризуются информационной емкостью от 1 кБ до 1 ГБ, разнообразными алгоритмами обмена данными и высокой скоростью обмена (частота синхронизации – 50 МГц и более). При производстве используются технологии Flash и EEPROM. Память малого объема применяются для хранения конфигурационных данных, большого – для хранения архивов и программных кодов (например – коды начальной загрузки ЦСП фирмы Texas Instruments или ПЛИС фирмы Altera). | Производитель | Тип
(xxx - емкость) | Емкость,
МБит | Напряжение
питания, В | Типы корпусов | | Atmel | AT25Cxxx (EEPROM) | 1 - 1M | 1.8 - 5.5 | DIP, SOIC, TSSOP, leadless | | AT25Fxxx (Flash) | 512 - 4M | SOIC, leadless | Spansion
(AMD + Fujitsu) | S25FLxxx (Flash) | 4M - 128M | 1.8 - 3.6 | SOIC, leadless | | ST microelectronics | M95xxx (EEPROM) | 1 - 512 | 1.8-3.6 | DIP, SOIC, TSSOP, leadless | Numonyx
(Intel + ST microelectronics) | M25Pxxx, M45Pxxx (Flash) | 512 - 128M | 1.8 - 3.6 | SOIC, leadless | | *25Fxxx (Flash) | 16M - 64M | 3.3 | SOIC | | Catalyst | CAT25xxx (EEPROM) | 1 - 256 | 1.8 - 5.5 | DIP, SOIC, TSSOP, leadless | | ISSI | IS25Cxxx (EEPROM) | 1 - 256 | DIP, SOIC, TSSOP | |
Отдельно упомянем ИМС серии «DataFlash» (NOR), предлагаемые фирмой Atmel. Они имеют высокую скорость обмена, дополнительные области памяти на каждой странице для таблиц размещения данных или контрольных сумм, одно или два буферных ОЗУ для увеличения производительности при записи. Области применения – хранение больших объемов данных и хранение программных кодов при необходимости снижения площади, занимаемой на печатной плате (за счет меньшего числа выводов). При запуске системы программные коды (архивированные) копируются из DataFlash в высокоскоростное ОЗУ и исполняются оттуда. | Производитель | Тип
(xxx - емкость) | Емкость,
МБит | Напряжение
питания, В | Типы корпусов | | Atmel | AT26xxx (1 buffer) | 4 - 32 | 2.5 - 3.6 | SOIC, leadless | | AT45DBxxx (2 buffer) | 1 - 64 | 2.5 - 3.6 | SOIC, TSOP, leadless | |
ИМС памяти с доступом через параллельный интерфейс
и раздельными шинами адреса и данных ИМС с использованием технологии EPROM. ИМС данной группы характеризуются информационной емкостью от 256 кБ до 32 МБ (ранее выпускались с меньшей емкостью), 8-и или 16-битной шиной данных с минимальным временем выборки до 45 нС, относительной удельной дороговизной по сравнению с более новыми разработками (электрически стираемая Flash-память) и невысоким ресурсом (по циклам перезаписи). Широко распространены однократно программируемые ИМС, отличаются отсутствием в корпусе кварцевого окна для доступа УФ излучения к кристаллу. Некоторые фирмы ( Atmel, Winbond, Holtek) производят модификации с электрическим стиранием информации. Наиболее широко они применяются для хранения программных кодов процессоров без встроенного ПЗУ команд. | Производитель | Тип
(xxx - емкость) | Емкость,
МБит | Напряжение
питания, В | Типы корпусов | | Atmel | AT27xxx | 256 - 4М | 2.7 - 5.5 | DIP, PLCC, TSOP | | ST microelectronics | M27xxx | 256 - 32М | 3.3, 5.0 | DIP, Windowed DIP,
PLCC, TSOP | | Winbond | W27C512 | 512 | 5.0 | DIP, PLCC | |
ИМС с использованием технологии EEPROM. ИМС данной группы характеризуются информационной емкостью от 64 кБ до 4 МБ (ранее выпускались с меньшей емкостью), 8-битной шиной данных с минимальным временем выборки до 70...80 нС и дороговизной (в десятки раз дороже, чем Flash-память того же объема). Некоторые фирмы производят модификации, соответствующие стандарту MIL-STD-883, как с ненормированной ( Atmel, Intersil), так и с нормированной ( Atmel) устойчивостью к воздействию проникающих излучений. В настоящее время они находят ограниченное применение для хранения программных кодов процессоров без встроенного ПЗУ команд (с возможностью обновления) и конфигурационных данных. | Производитель | Тип
(xxx - емкость) | Емкость,
МБит | Напряжение
питания, В | Типы корпусов | | Atmel | AT28xxx | 64 - 4М | 3.3, 5.0 | DIP, PLCC, TSOP, SOIC, Flatpack, PGA | Intersil
(Xicor) | X28*Cxxx | 64 - 1М | 5.0 | DIP, PLCC, SOIC, Flatpack, PGA | | Catalyst | CAT28Cxxx | 16 - 512 | 3.3, 5.0 | DIP, PLCC, TSOP | |
ИМС с использованием технологии Flash. Современные ИМС данной группы характеризуются информационной емкостью от 1 МБ и выше, 8-и или 16-битной шиной данных, довольно высоким ресурсом (10 5 циклов перезаписи и более), сходными наборами команд управления и дешевизной. В производстве преимущественно используется схемотехника «NOR». По организации адресного пространства они делятся на: - ИМС, разделенные на равные сектора (единицы-десятки кБ);
- ИМС с секторами разного размера (часть секторов с меньшим объемом, называемая обычно «загрузочными блоками», как правило, имеет защиту от несанкционированной записи).
В настоящее время они находят самое широкое применение как для хранения программных кодов или конфигурации ПЛИС, так и разнообразных данных. | Производитель | Тип
(xxx - емкость) | Емкость,
МБит | Напряжение
питания, В | Типы корпусов | Spansion
(AMD + Fujitsu) | S29*Lxxx,
S7**Sxxx | 1 - 1G | 1.8, 3.3 | TSOP, BGA | AM29xxx,
AM4xxx,
AM7*Pxxx,
MBM29xxx,
MB84xxx | 1 - 128 | 1.8, 3.3, 5.0 | DIP, PLCC, TSOP | Numonyx
(Intel) | *28Fxxx,
*48Fxxx | 8 - 512 | 1.8, 3.3 | TSOP, BGA | Numonyx
(ST microelectronics) | M29Wxxx,
M29*Fxxx,
M58xxx | 1 - 256 | 1.8, 3.3, 5.0 | DIP, PLCC, TSOP, SOP, BGA | | Macronix | MX29xxx | 2 - 64 | 1.8, 3.3, 5.0 | PLCC, TSOP, SOP, BGA | | Atmel | AT49BVxxx (large sector) | 4 - 64 | 1.8, 3.3 | PLCC, TSOP, BGA | | Atmel | AT29LVxxx,
AT29Cxxx (small sector) | 256к - 4 | 3.3, 5.0 | PLCC, TSOP | |
ИМС памяти с доступом через параллельный интерфейс
и мультиплексированной шиной адреса и данных ИМС данной группы характеризуются информационной емкостью в сотни МБ и выше, 8-и или (существенно реже) 16-битной шиной данных, равносекторной организацией, наличием дополнительных областей памяти в каждом секторе для таблиц размещения данных или контрольных сумм, сходными наборами команд управления и предельной дешевизной в расчете на единицу информационной емкости. В производстве используется схемотехника «NAND» и технология Flash. Области применения – хранение больших объемов данных и хранение сжатых программных кодов. При запуске системы программные коды (архивированные) распаковываются из Flash-памяти в высокоскоростное ОЗУ и исполняются оттуда. | Производитель | Тип
(xxx - емкость) | Емкость,
МБит | Напряжение
питания, В | Типы корпусов | | Samsung | K9xxx | 256М - 32 | 1.8, 3.3 | TSOP, BGA | Numonyx
(ST microelectronics) | NANDxxx | 128М - 2 | 1.8, 3.3 | TSOP, BGA | Numonyx
(Intel) | SS72xxx, SD74xxx, MD78xxx | 2 - 32 | 3.3 | TSOP | Spansion
(AMD + Fujitsu) | S30Mxxx | 128М - 1 | 1.8, 3.3 | TSOP, BGA | | Hynix | HY27xxx | 128M - 16 | 1.8, 3.3 | TSOP, BGA | |
Специализированные ИМС ИМС для начальной загрузки ПЛИС. ИМС данной группы предназначены для начальной (при подаче питания) загрузки данных в микросхемы программируемой логики, хранящие конфигурацию ресурсов во внутреннем ОЗУ (FPGA). Для обмена данными с ПЛИС имеют последовательный синхронный интерфейс. Некоторые серии выступают как ведущие устройства – генерируют тактовый сигнал для обмена данными (например, AT17LVxxxA и EPCxxx), некоторые – как ведомые (например, более современные и дешевые AT17Nxxx и EPCSxxx). При производстве используются технологии Flash и EEPROM. | Производитель | Тип
(xxx - емкость) | Емкость,
МБит | Напряжение
питания, В | Типы корпусов | | Atmel | AT17xxx | 128к - 64 | 3.0 - 5.5 | DIP, SOIC, PLCC, TQFP | | Altera | EPCxxx | 128к - 16 | 3.0 - 5.5 | DIP, PLCC, TQFP | | EPCSxxx | 1 - 64 | 3.3 | SOIC | | Xilinx | XCFxxS,
XCFxxP | 1 - 32 | 1.8, 3.3 | TSSOP, TSOP, TFBGA | |
ИМС энергонезависимых ОЗУ. Данные ИМС предназначены для использования в случаях, когда помимо сохранения данных при отключенном напряжении питания требуется их частое обновление в рабочем режиме. Один из способов обеспечения необходимых характеристик как по количеству циклов перезаписи, так и по энергонезависимому хранению – комбинация статического ОЗУ и ПЗУ, выполненного по EEPROM технологии. ИМС такого типа предлагают фирмы Simtek и Catalyst. Другой – использование ячеек памяти на ферроэлектрической основе. В настоящее время ИМС такого типа предлагают фирмы Freescale (ранее – Motorola) и Ramtron. Подробную информацию смотрите в соответствующем разделе: «Энергонезависимые ОЗУ».
Подбор ИМС по основным характеристикам,
проверка наличия на складе и документация: ИМС EEPROM-памяти с последовательным интерфейсом I2C | Объем, кБит | Размер страницы,
байт (от 1 до) | Корпус | Склад | Оригинальная
документация | | 1 и 2 | 8 | DIP8 |  | at24c02b.pdf
размер 610 Kb | | SOIC8 (150 mil.) | | | 4, 8 и 16 | 16 | DIP8 | | at24c16b.pdf
размер 872 Kb | | SOIC8 (150 mil.) | | | 32 и 64 | 32 | DIP8 | | at24c32_64c.pdf
размер 782 Kb | | SOIC8 (150 mil.) | | | 128 и 256 | 64 | DIP8 | | at24c256b.pdf
размер 980 Kb | | SOIC8 (150 mil.) | | | SOIC8 (210 mil.) | | | 512 | 128 | DIP8 | | at24c512b.pdf
размер 816 Kb | | SOIC8 (150 mil.) | | | SOIC8 (210 mil.) | | | 1M | 256 | DIP8 | | at24c1024b.pdf
размер 1,09 Mb | | SOIC8 (210 mil.) | | |
ИМС EEPROM-памяти с последовательным интерфейсом Microwire | Описание | Корпус | Склад | Оригинальная
документация | | 93C46 (1кБ с переключением разрядности) | DIP8 | | at93c46d.pdf
размер 877 Kb | | SOIC8 | | |
ИМС EEPROM и FLASH-памяти с последовательным интерфейсом SPI | Описание, xxx - емкость | Напряжение
питания, В | Корпус | Склад | Оригинальная
документация | | 25010 (EEPROM, 1кБ, запись байтами или страницами с автоматическим стиранием) | 1.8 - 5.5 | SOIC8 | | at25010-040a.pdf
размер 559 Kb | | 25040 (EEPROM, 4кБ, запись байтами или страницами с автоматическим стиранием) | 1.8 - 5.5 | SOIC8 | | | 25256 (EEPROM, 256кБ, запись байтами или страницами с автоматическим стиранием) | 1.8 - 5.5 | SOIC8 150 mil. | | at25128_256a.pdf
размер 635 Kb | | AT25Fxxx (FLASH, от 512кБ, запись байтами или страницами, блочное и полное стирание) | 2.7 - 3.6 | SOIC8 150 mil. | | at25fs010.pdf
размер 582 Kb | | AT25DFxxx (FLASH, от 512кБ, запись байтами или страницами, блочное и полное стирание) | 2.7 - 3.6 | SOIC8 150 mil. | | at25df321.pdf
размер 768 Kb | | SOIC8 210 mil. | | | AT26Fxxx/AT26DBxxx (FLASH, от 4MБ, буферное ОЗУ, запись байтами или страницами, страничное, блочное и полное стирание) | 2.7 - 3.6 | SOIC8 150 mil. | | at26df321.pdf
размер 571 Kb | | SOIC8 210 mil. | | | MLF8 | | | AT45DBxxx (FLASH, от 2МБ, 2 буферных ОЗУ, страница 256/264 байт, страничное и блочное стирание) | 2.5 - 3.6 | SOIC8 150 mil. | | 45db081d.pdf
размер 1,65 Mb | | SOIC8 210 mil., MLF8 | | | AT45DBxxx (FLASH, от 16МБ, 2 буферных ОЗУ, страница 512/528 байт, страничное и блочное стирание) | 2.5 - 3.6 | SOIC8 150 mil. | | 45db321d.pdf
размер 1,64 Mb | | SOIC8 210 mil., MLF8 | | | TSOP28 | | | AT45DBxxx (FLASH, 64МБ, 2 буферных ОЗУ, страница 1024/1056 байт, страничное и блочное стирание) | 2.5 - 3.6 | CASON8 (= SOIC8 210 mil.) | | 45db642d.pdf
размер 1,58 Mb | | TSOP28 | | | M25Pxxx (FLASH, от 512кБ, запись байтами или страницами, блочное и полное стирание) | 2.7 - 3.6 | SOIC8 150 mil. | | m25p80.pdf
размер 990 Kb | | SOIC8 210 mil. | | | SOIC16 300 mil. | | | S25FLxxx (FLASH, от 4MБ, запись байтами или страницами, блочное и полное стирание) | 2.7 - 3.6 | SOIC8 210 mil.,
SOIC16 300 mil. | | s25fl008_spansion.pdf
размер 1,41 Mb | |
ИМС для начальной загрузки ПЛИС | Описание | Корпус | Объем, МБ | Склад | Оригинальная
документация | | Для ИМС Altera в режиме «Active serial» | SOIC8, 150 mil. | 1 | | cyc_c51014(epcs).pdf
размер 686 Kb | | 4 | | | 16 | | | SOIC16, 300 mil | 64 | | | Для ИМС Altera в режиме «Passive serial» | DIP8 | 512k | | epc(up_to_2).pdf
размер 218 Kb | | 1 | | | PLCC20 | 512k | | | 1 | | | 2 | | | TQFP32 | 2 | | | «Platform Flash» для ИМС Xilinx, последовательный интерфейс | TSSOP20 | 1 - 4 | | xcf_platform_flash.pdf
размер 579 Kb | | «Platform Flash» для ИМС Xilinx, последовательный и параллельный интерфейсы | TSOP48, BGA48 | 8 - 32 | | |
ИМС EPROM и EEPROM-памяти с параллельным интерфейсом
ИМС FLASH-памяти с доступом через параллельный интерфейс
и мультиплексированными шинами адреса и данных (NAND) Размер страницы,
байт | Объем, ГБит | Корпус | Склад | Оригинальная
документация | | 528 (512 + 16) | 128M | TSOP48 | | nand128_1g_stm.pdf
размер 952 Kb | | 256M | TSOP48 | | | 512M | TSOP48 | | | 1 | TSOP48 | | | 2112 (2k + 64) | 1 | TSOP48 | | k9f8g08_rev10.pdf
размер 1,33 Mb | | 2 | TSOP48 | | | 4 | TSOP48 | | | 8 | TSOP48 | | | 16 и более | TSOP48, BGA |  | |
ИМС FLASH-памяти с доступом через параллельный интерфейс
и раздельными шинами адреса и данных (NOR) Объем,
МБит | Разрядность | Организация | Напряжение
питания, В | Корпус | Склад | Оригинальная
документация | | 1 | 8 | 8 страниц по 16кБ | 5 | DIP32 | | am29f010b.pdf
размер 951 Kb | | PLCC32 | | | 3.3 | PLCC32 | | am29lv010b.pdf
размер 1,02 Mb | | TSOP32 | | | 4 | 8 | 8 страниц по 64кБ | 5 | PLCC32 | | am29f040.pdf
размер 395 Kb | | TSOP32 | | | 3.3 | PLCC32 | | am29lv040b.pdf
размер 681 Kb | | TSOP32 | | | 8/16 | с загрузочными блоками | 5, 3.3 | TSOP48 | | am29lv400b.pdf
размер 1,14 Mb | | 8 | 8 | 16 страниц по 64кБ | 3.3 | TSOP40 | (AMD pinout) | am29lv081b.pdf
размер 1,23 Mb | | 8/16 | с загрузочными блоками | 3.3 | TSOP48 | (Top boot, AMD pinout) | s29al008.pdf
размер 2,13 Mb | | (Bottom boot, AMD pinout) | | BGA48 | (Top boot, AMD pinout) | | (Bottom boot, AMD pinout) | | 16 | 8/16 | с загрузочными блоками | 3.3 | TSOP48 | (Top boot, AMD pinout) | s29al016.pdf
размер 1,95 Mb | | (Bottom boot, AMD pinout) | | (Bottom boot, Intel pinout) | 28F800_640C3.pdf
размер 1,19 Mb | | BGA48 | | – | | 32 | 8/16 | с загрузочны-ми блоками | 3.3 | TSOP48 | (Top boot, AMD pinout) | s29gl032_256m.pdf
размер 4,7 Mb | | (Bottom boot, AMD pinout) | | (Bottom boot, Intel pinout) | 28F800_640C3.pdf
размер 1,19 Mb | | BGA | (Top boot, AMD pinout) | s29gl032_256m.pdf
размер 4,7 Mb | | (Bottom boot, AMD pinout) | | 64 | 8/16 | 128 страниц по 64кБ | 3.3 | TSOP48 | (AMD pinout) | s29gl032_256m.pdf
размер 4,7 Mb | | BGA | | | 128 | 8/16 | 256 страниц по 64кБ | 3.3 | TSOP56 | (AMD pinout) | s29gl032_256m.pdf
размер 4,7 Mb | | (Intel pinout) | 28F320_256J3.pdf
размер 968 Kb | | 256 | 8/16 | 512 страниц по 64кБ | 3.3 | TSOP56 | (AMD pinout) | s29gl032_256m.pdf
размер 4,7 Mb | |
Полезная информация: | 1. | В дополнение к самим ИМС мы можем предложить: - универсальные программаторы «Sterh» для ремонта, опытного и мелкосерийного производства и специализированные внутрисхемные программаторы для конфигурационных ПЗУ;
- услуги по программированию ПЗУ;
- для крупных проектов возможно предоставление программных пакетов поддержки ИМС Flash-памяти от фирм-производителей (низкоуровневые процедуры обмена с памятью, реализации FAT, подпрограммы обнаружения и коррекции ошибок и проч.)
| | 2. |
| | 3. | Руководства по выбору ИМС ПЗУ от фирм-производителей:  | Numonyx
(объединение подразделений Flash-памяти Intel и ST microelectronic) | | Intel
раздел сайта компании |
| | 4. |
| | | | | | | | | |
